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三星电子和海力士商定共同研发下一代半导体

2008-06-25 10:31 文章来源：韩知识经济部

文章类型：编译内容分类：新闻

　　韩知识经济部25日表示，三星电子和海力士决定积极推进三大技术合作，并将从9月开始共同研发兆兆位级下一代半导体“STT-R随机存储器”的基础技术。两家公司计划从2012年开始重点研发“STT-M随机存储器”，以满足逐渐形成的市场需求。据悉，届时研发方式将采用上世纪90年代三星、LG和现代等三大半导体公司共同研发的64兆动态随机存储器结构，由业界负责材料研发和性能评估，政府将为共同研究基础设施装备提供投资。

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